最小ギャップ1μm

 有機FET(電界効果トランジスタ)の開発を目的として、新規有機物の電気特性を調べるための金属パターンを製作した。基板には、□15mmのSrTiO3 (STO)(t0.5mm)に対して絶縁膜Al2O3 (t30nm)をALD成膜したもの、パターンの材質には窒化ニオブと金を用いた。パターン幅は10μm、最少ギャップは1μm。

FET用金属パターニング